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格罗方德公司将提供7nm 鳍式场效应晶体管技术
2016-09-23
 

[据硅半导体网站2016921日报道]  格罗方德公司厂宣布计划提供新的7nm 鳍式场效应晶体管器件的半导体技术,该公司表示,该技术的提供最终表现为计算机应用的新时代。这一技术为数据中心、网络、优质移动处理器和深度学习的应用提供了更多的处理能力。

相比今天的16 / 14nm铸造鳍式场效应晶体管产品,格罗方德公司新7nm 鳍式场效应晶体管技术预计将提供超过两倍的逻辑密度和30%性能提升。该平台是基于行业标准的鳍式场效应晶体管晶体管结构和光学光刻技术,以及在关键水平EUV的兼容能力。这种方法将通过公司目前在萨拉托加县Fab 8校园量产的14nm 鳍式场效应晶体管技术的工具和流程,显著加速生产的再利用。格罗方德公司计划额外增加数十亿美元的投资给Fab 8以加速7nm 鳍式场效应晶体管器件的开发和生产。

“产业正在融合7nm 鳍式场效应晶体管器件作为下一代长寿命的节点,这是格罗方德公司领先优势竞争的一个独特的机会。” 格罗方德公司首席执行官桑杰·贾说,“我们将充分利用制造高性能芯片的经验、以前国际商业机器公司(IBM)微电子同事的才智和技术以及我们研究部门世界一流的研发以提供不同的7nm 鳍式场效应晶体管技术。没有其他的工厂可以匹配这种传统制造的高性能芯片。”

格罗方德公司从14nm直接跳到7nm是一个大胆的决定,现在只有几个领先的半导体公司支持,因为他们仅仅看到边缘的性能和功率的优点,这是由于10nm工艺节点的成本就很高。”TIRIAS研究创始人和首席分析师吉姆·梅格瑞说,“就像28nm 16 /14nm的工艺节点一样,7nm似乎是下一个流程节点,至少在未来十年在整个半导体产业将广泛利用。”

“像格罗方德公司的7nm 鳍式场效应晶体管这样领先的技术是我们实现计算和图形产品,推动下一代计算经验的长期路线图的重要组成部分,”AMD总裁和首席执行官丽萨·苏博士说,“我们期待着继续与格罗方德公司密切合作,他们在部署14nm时延续下来的扎实的执行能力和技术基础在未来几年建设高性能、低功耗7nm技术时将会有效地利用。”

IBM致力于推动半导体技术的限制,作为其积极进取的长期研究议程的一部分,”国际商业机器公司(IBM)研究的高级副总裁和董事阿尔温德·克里希纳说,“IBM研究部将继续与格罗方德公司合作,发展新思路、新技能和新技术,这有助于加快并突破我们在7nm技术的联合研究。”

格罗方德公司将提供一个全面的和有竞争力的IP库、协同工艺开发。为了使客户能够加快使用鳍式场效应晶体管技术,全球铸造厂已经扩大和Invecas战略合作关系,除了14lppFDX™过程现在也包括7nm工艺铸造的IP发展。这将为客户提供一个强大的基础,以建立早期的设计,满足他们的性能、功耗和面积的要求。

Invecas专门提供优越的IP解决方案,专用集成电路(ASIC)和格罗方德公司客户的设计服务,横跨格罗方德公司的前缘技术鳍式场效应晶体管和FDX工艺范围,”Invecas首席执行官旦撒若哈·古德说。”我们和格罗方德公司的战略伙伴关系,结合我们特制的铸造IP模型,使我们能够建立一个7nm 鳍式场效应晶体管工艺基础IP,满足7nm客户领先应用的具有挑战性的性能要求。”

14lpp技术平台成功建立的基础上,格罗方德公司的7nm 鳍式场效应晶体管技术的定位是满足下一代计算应用需求,包括从高端手机的SoC处理器到云服务器和网络基础设施的高性能要求。公司的高性能产品已经通过22fdx12fdx技术进行补充,这两项技术被开发用以满足下一代智能连接设备的超低功耗要求,从移动计算和5G连接到人工智能和自主车辆。

格罗方德公司的7nm 鳍式场效应晶体管技术将由一个基础完善和复杂知识产权(IP)平台支持,包括专用集成电路(ASIC)提供。客户对IP芯片的测试已经开始在Fab 8运行。该技术预计在2017下半年开始为客户产品设计,风险生产在2018年初。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 宋文文)

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