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Leti展示了使用纳米线技术制造5nm节点的CMOS器件的方法
2016-12-16
 

[据固态电子技术网站2016125日报道]  法国新能源与原子能委员会(CEA)下属的技术研究部门CEA Tech Leti研究所在2016年国际电子器件会议上发表了两篇论文,证明了其能够为工业界提供构建具有纳米线结构的竞争性5nm节点所需的所有元素。

纳米线结构被视为该节点的最佳候选者,Leti正在解决其面临的一些最大的挑战,例如性能和寄生电容。其结果表明可以把应变引入堆叠的纳米线中,并且寄生电容可以由于内部间隔件集成而减少。

题为“在具有内部间隔物和SiGe/漏极的替代金属栅极工艺中的垂直堆叠纳米线MOSFET”的论文中首次证实功能器件采用SiGe源极和漏极诱导沟道中的应变以提高性能,并利用内部间隔件减小寄生电容。这两个结构单元都是5-nm节点技术所需要的。该MOSFET架构扩展了CMOS技术的微缩极限,并被视为对FinFET的可能扩展。

LetiIEDM 2008年,是世界上第一个报道堆叠纳米线和纳米片研究结果的组织。

第二篇论文“NSP:用于堆叠平面和垂直全环栅MOSFET的物理紧凑模型”提出了一种纳米线和纳米片全环栅MOSFET的预测和物理紧凑模型。

“这是第一个可以模拟具有各种几何结构的堆叠纳米线和纳米片器件的紧凑型模型或SPICE模型。”Leti的微电子部门经理及这两篇论文的合作者Olivier Faynot说。“它还能够模拟垂直纳米线,这是该模型的关键成就之一。”

本文提出了一种基于物理的堆叠纳米线SPICE模型,可以使电路设计人员能够将其现有电路准确地投影到5-nm节点,并研究新颖的设计。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  张慧)

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