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美国空军研究实验室与BAE系统公司合作开展新半导体计划
2019-10-12

据美国简氏网站2019109日报道,美国空军研究实验室正在与BAE系统公司开展合作开展新半导体计划,共同开发下一代短栅氮化镓(GaN)半导体技术,该技术对雷达、通信、电子战等武器装备的性能提升至关重要。该技术研发目前处于第二阶段,旨在将140纳米氮化镓单片微波集成电路工艺扩展至6英寸(直径15厘米)晶圆上,并提高制造成熟度和稳定性,包括器件性能的优化、保证晶圆的良品率等。本阶段结束后,这项技术将被广泛应用到工业制造各个领域。BAE Systems已成功完成第一阶段的工作,将美国空军开发的短栅氮化镓(GaN)半导体技术过渡到我们的先进微波产品(AMP)中心。

GaN半导体技术以晶片的形式出现,以紧凑的形式提供了高效率和宽频带宽功能,可以集成到各种系统中,以实现下一代雷达,电子战和通信。

BAE系统公司射频、电子战和高级产品线总监Chris Rappa说道。“我们的铸造厂是国防界值得信赖的合作伙伴,因为它致力于短栅氮化镓等重要技术的设计,创建和实施“ GaN技术满足了国防部对低成本,高性能放大器技术的独特需求,第二阶段的努力使我们离成功制造AFRL技术并将其推向市场更近了一步。

BAE Systems正在位于新罕布什尔州纳舒厄的我们70,000平方英尺的微电子中心(MEC)中研究和发展包括GaN在内的世界一流的微电子技术。自2008年以来,MEC一直是美国国防部(DoD)认可的可信供应商,并为关键的国防部计划量产集成电路。(中国电科发展战略研究中心  王龙奇)

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