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IMEC与ASML在光刻技术上取得突破性进展
2020-02-28

[据半导体摘要网站2020226日报道]近日,在SPIE先进光刻技术会议上,世界领先的纳米电子、数字技术研究与创新中心IMEC与世界领先的半导体光刻设备制造商ASML宣布单次曝光24纳米节距线技术取得了突破性进展,该技术对应于3纳米技术节点的后段(BEOL)金属层工艺制程。ASMLNXE:3400B型极紫外光刻设备通过先进成像方案、创新抗蚀剂材料以及优化系统设置相结合,在单次曝光中实现了24纳米的线/空间节距。

此次突破性的成像性能将促使NXE:3400B成为IMEC未来工艺节点的开发平台,实现光刻胶和图形化处理技术的早期材料开发。该技术平台将在ASML的下一代EUV设备EXE:5000上启用,其数值孔径达到0.55,远高于NXE:3400B0.33,预计2022年首次交付使用。

NXE3400B能够在高入射角下对掩模进行照明。在标准照明下,EUV掩模在高入射角下往往会使晶圆图像变形,从而产生较差的抗蚀剂轮廓。IMEC/ ASML的研究团队发现了一种创新的方式来补偿图像失真,同时与优化的照明系统相结合,在34mJ /cm2的最小曝光剂量下,实现24纳米节距的单次EUV曝光成像。

ASMLNXE3400B2019年第二季度安装于IMEC300毫米无尘车间,目前已是IMEC研发活动的重要组成部分。

此外,IMECAttoLab实验室将在今年10月份推动300 毫米晶圆的高数值孔径光刻技术首次进行。AttoLab实验室致力于研究光刻胶因EUV电离辐射所产生的阿秒级分子动力学,并提供300毫米晶圆的高数值孔径光刻胶的成像能力,可将节距尺寸缩减到8纳米。接下来,AttoLab将继续加强对数值孔径0.55光刻胶成像机理的研究,并作为NXE:3400B的补充,进一步支持供应商在引入ASMLEXE5000设备之前,加速开发与之相兼容的光刻材料。国家工业信息安全发展研究中心  李茜楠)

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