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MEMS应用是PZT薄膜未来发展的驱动力
2013-11-29
    [据i-micronews网站2013年11月22日报道]法国市场调研公司Yole发布《锆钛酸铅(PZT)薄膜半导体应用趋势与技术更新》报告。该技术和市场分析报告提供了对PZT薄膜应用的概况和预测。除了对制造工艺和未来挑战的详细研究,还包括技术路线图和对重点产业市场主要参与者的排序等。PZT薄膜对未来应用最有前途的影响无疑是其压电效应。
    2013年9月,爱普生公司宣布其新一代喷墨打印技术与精密核,第一次推出采用PZT薄膜技术制造的MEMS喷墨头。此发明已得到大力地宣传。首先,薄膜压电MEMS应用已出现在市场上,证明该技术的可靠性和成熟度。其次,更多喷墨头制造商将很快跟进。Yole半导体制造市场与技术分析师克莱尔·特罗阿代克解释道:“薄膜压电材料在MEMS产业中日益受到重视。尽管半导体制造公司在过去不愿意将这种特殊材料引入其生产线,而现在每一个主要的MEMS代工企业都致力于在MEMS制造工艺中使用压电薄膜。”
    锆钛酸铅或PZT(Pb[ZrxTi1-x]O3 0≤X≤1)是一种令人感兴趣的铁电材料。根据其组成,它具有组合3种不同材料特性的优势:高介电常数,热释电效应和压电效应。其高介电常数特性仍然被广泛用于PZT薄膜和集成无源器件(IPD)的集成,并在较小程度上用于铁电存储器(FeRAM)。这些是多年来PZT薄膜的两个优先应用领域。恩智浦半导体与意法半导体在此IPD市场处于主导地位。
    英国Pyreos公司正在将PZT的热释电效应用于基于PZT薄膜的非制冷红外探测器,尽管此PZT薄膜技术仍然位于这个领域的边沿。PZT的压电效应将是其在未来应用中最有前景的效应。威浪仕(Wavelens)公司和英国PoLight公司正致力于将使用薄膜压电技术的自动聚焦产品推向市场。将PZT薄膜技术融入MEMS的广泛应用才刚刚开始。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  黄庆红)

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