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美国Monolith公司和X-FAB公司合作生产碳化硅功率二极管和MOS场效应晶体管
2014-06-10
[据今日半导体网站2014年6月3日报道]碳化硅(SiC)二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)供应商美国Monolith半导体公司与硅基模拟/混合信号晶圆代工商X-FAB Texas公司建立战略合作关系,将在批量生产线上共同制造150毫米 SiC晶圆。
目前,SiC器件的高成本限制了SiC功率二极管和MOSFET的广泛采用。此次合作的目标是大幅降低SiC二极管和MOSFET的成本,提高器件可靠性和拓展可用性,推进这些器件在高性能和高效率电力电子系统中的广泛应用。
    Monolith公司首席执行官Banerjee评论说,“本公司创新型SiC MOSFET设计和硅兼容工艺使得在有成本效益的CMOS晶圆厂制造高性能和高可靠SiC MOSFET成为可能。X-FAB Texas公司具有为汽车和工业客户提供高品质半导体产品的悠久历史。我们已经将Monolith公司的SiC技术转移到X-FAB公司的CMOS晶圆厂,并已验证采用150毫米SiC晶片制造出1200V SiC器件。”
    Monolith公司开发SiC器件由美国能源部(DOE)能源高级研究计划局(ARPA-E)的“控制高效率系统用宽禁带廉价晶体管战略”(SWITCHES)项目提供部分支持。Monolith公司总裁Kevin Matocha解释道:“通过使用现有硅制造基础设施,我们大幅度减少SiC器件的制造总成本,并在X-FAB代工线获得高成品率制造系统的优势。ARPA-E SWITCHES项目积极的成本目标驱使我们寻找新的方法来降低SiC功率MOSFET的生产成本。”
    SWITCHES项目负责人Tim Heidel 评论道,“SWITCHES项目旨在设计开发新的宽禁带半导体器件,这些器件有望提高开关频率,增强高温工作能力,并以比目前的解决方案更低的成本降低功率损耗。SWITCHES项目虽然才执行6个月,但我们很高兴看到项目团队已经显示出实现其技术和市场目标的积极迹象。”
    除了ARPA-E SWITCHES项目的SiC器件开发外,Monolith公司和X-FAB公司还是新建成的美国功率制造研究所的固定合作伙伴,该研究所中心位于北卡罗来纳州立大学(NCSU)并得到美国能源部先进制造办公室的资助。
    X-FAB公司的战略营销总监Andy Wilson评论说,“我们很高兴成为研究所的一部分,这将进一步提高SiC功率器件生产能力和降低成本。利用X-FAB公司的优质TS-16949的制造能力,我们准备支持Monolith半导体公司的SiC功率器件制造,利用现有的150毫米硅基生产设备制造SiC功率器件,这将打破初级成本障碍,使SiC功率器件增殖。”
    Monolith公司目标是提供900V-1700V SiC二极管和MOSFET,并在2015年初完成对SiC功率器件试样生产。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  黄庆红)

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