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美国M/A-COM公司推出15W碳化硅基氮化镓3.5GHz脉冲功率晶体管
2014-08-28
 

[据今日半导体网站825日报道]美国M/A-COM技术解决方案公司(主要产品包括模拟器件、用于射频和微波毫米波领域的模拟器件和组件)推出了碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)脉冲功率晶体管,工作在直流到3.5GHz的频率范围,满足民用和军用雷达脉冲应用需求。

MAGX-000035-015000MAGX-000035-01500S晶体管采用增强型带凸缘(Cu/W)和无凸缘(Cu)陶瓷封装,具有出色的散热性能;采用金进行了金属化处理,是满足射频功率放大应用无可匹配的SiCGaN射频功率晶体管。该晶体管提供典型的17W峰值输出功率、15.5dB功率增益和63%的漏极效率,以及提供能够满足在要求苛刻应用领域多个倍频程带宽的耐用性。该器件具有高击穿电压和600年的平均无故障时间(MTTF)。

产品经理保罗比斯利表示“该款新的15W峰值 GaN功率晶体管在宽频率范围内提供了脉冲式驱动器和功率应用领域通用的和高性能的解决方案,在L波段和S波段脉冲雷达应用领域,该器件可以作为MACOM公司更高功率GaN晶体管的理想驱动级。”(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 唐旖浓)

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