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日本三菱公司推出3.5GHz氮化镓高电子迁移率晶体管器件
2015-03-12
 

[据化合物半导体网站2015311日报道]  日本三菱公司今天宣布已研制出工作在3.5GHz、可为4G基站收发台(BTS)提供高等级输出功率和效率的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),并将在41日提供样品。

随着长距离演进(LTE)和LTE先进移动网络的发展,对BTS的需求不断增加。因为BTS可提供增强的数据传输能力、更小的尺寸和更低的功耗。

为此,日本三菱电子公司已研发出并开始提供宏蜂窝和微蜂窝BTS用世界领先级高输出、高效率GaN HEMT。据该公司表示,这些器件可为宏蜂窝BTS提供世界领先的100W输出功率。而且,高效率可帮助减少BTS尺寸和功率输出。

宏蜂窝BTS100W器件可实现74%的沟道效率。微蜂窝BTS9W器件可实现67%沟道效率。高效率可简化冷却系统,进而减小尺寸和功耗。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  张倩)

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