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日本三菱电子公司开发将推出3.5GHz氮化镓晶体管
2015-03-16
 

[据今日半导体网站2015311日报道]  三菱电子公司已经开发促一种氮化镓高电子迁移率晶体管,能提供高输出功率和效率,工作在3.5GHz片段,可用于第四代移动通信基站。该器件样本将在201541日推出。

随着LTE和先进LTE移动网络的长期发展,迫切需要发送数据量大、体积小巧、功耗更低的通信基站。为满足这一需要,三菱电子公司开发了高输出功率、高效率的氮化镓高电子迁移率晶体管,其漏极电压高达50伏,工作频率范围从3.4GHz3.8GHz,可用于各种基站收发台。

产品特性包括达到世界级的100瓦功率输出,可用于大型基站收发台(通过晶体管优化实现),有助于扩大基站收发台的覆盖范围。同时,通过采用氮化镓高电子迁移率晶体管,实施晶体管优化,提高工作效率,也有助于降低基站收发台的尺寸和功耗。

100瓦的MGFS50G38FT1器件可用于大型基站收发台,9瓦的MGFS39G38L2器件可用于小型基站收发台,其饱和输出功率分别为50dBm39dBm,对应的线性增益分别为17dB19dB,负载牵引情况下的漏极效率分别为74%67%。高效率简化了制冷系统的设计,有助于减小尺寸和功率消耗。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  王巍)

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